碳化硅研磨桶的加工工艺主要分为以下几个工序：切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割。
由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。粗磨采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式。
上一篇：PVC挤出型材的优势
下一篇：为什么说挤出模具在塑料型材生产中起着核心作用
返回列表
